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霍尔传感器响应时间测试大电流源

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单   价:
¥ 1000.00
起订量:
≥1 (现有库存10000台 720小时内发货
最后更新时间:2024-08-01
人气值 127
品牌:
普赛斯仪表
电流脉宽:
50μs~500μs
脉冲电流上升沿时间:
典型时间15μs
输出脉冲电流:
5~1000A量程,精度0.1%FS±1A
售后服务:由武汉普赛斯仪表有限公司从湖北武汉市发货,并提供售后服务
  • HCPL100特点和优势:

    50~500us的脉冲宽度连续可调;

    15us的超快上升沿;

    同步测量电压;

    单台蕞大可达1000A输出;

    可极性反转;

    0.1%测试精度;详询一八一四零六六三四七六;


    技术指标
    电流脉宽  50μs~500μs
    脉冲电流上升沿时间 典型时间15us
    输出脉冲电流 5 ~1000A量程,精度0.1%FS±1A
    输出负载电压要求<
    12V@1000A
    DUT电压测量   2独立通道
    DUT电压测量   远端测量,峰值电压测量(取样点可配置)
    DUT电压测量   0~0.3V量程,精度0.1%±0.3mV

    DUT电压测量   0~3V量程,精度0.1%±3mV

    DUT电压测量   0~18V量程,精度0.1%±8mV
    电流脉冲输出间隔时间1秒
    电流脉冲峰值功率<12kW
    支持多设备并联输出超大电流,如3000A
    支持输出极性反转
    触发信号 支持trigin及trig out
    通讯接口 RS232
    输入电压 90~264VAC、50/60Hz
    输入功率<750W
    尺寸:长516x宽250x高160mm



    用领域

    肖特基二极管

    整流桥堆

    IGBT器件

    IGBT半桥模块

    IPM模块


    普赛斯仪表砖研究和开发半导体材料与器件测试的砖智能装备,产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU)的第三代半导体功率器件静态参数测试方案,为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段,实现功率半导体器件静态参数的高精度、搞率测量和分析。如果您对普赛斯功率半导体器件静态参数测试方案和国产化高精度源表感兴趣,欢迎随时联系我们!详询一八一四零六六三四七六;


  • 普赛斯仪表自主研制的国产化数字源表,可作为电压源和或电流源并同步测量电流和或电压,支持四象限工作。作为国内L先的半导体电性能测试仪表提供商,普赛斯仪表凭借长期的技术创新、精益的生产制造、严格的质量体系及国际化视野,推出的产品已被国内通信巨头和多家知名半导体企业认可和应用,是为数不多进入国际半导体测试市场供应链体系的半导体电性能测试设备厂商。未来,公司将继续以“为客户提供Z优质的产品与Z贴心的服务”为宗旨,朝着全球半导体电性能测试仪表的L跑者迈进。
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