凹槽不同部位的注入电流随注入电压的变化的规律不同，虽然整体规律都是随施加电压的提高而增加，但底部的电流有一小值。产生这一现象的原因主要是鞘层的运动状态不同所决定的。在低电压时，鞘层围绕在工件表面，此时注入是仿形注入，对底部、侧面和顶部的注入都来源于鞘层内的离子，由于底部与正对着弧源，等离子体中初始离子的运动速度垂直于底部，因此其注入电流要大于侧面，但随加速电压的提高，鞘层的运动加快，在整个脉冲施加阶段凹槽内部等离子体鞘层要叠加，将导致终鞘层内部无等离子体存在，结果使得注入电流降低。因此在kZV之前，注入电流是随电压的提高而减小的。

　　而对于侧面由于鞘层的形状有一定的弯曲，可以从图3说明这一点，将导致有部分离子产生注入，因此其注入电流大于底部，在外表面，由于等离子体密度本身很高，又无鞘层的重叠发生，因此其注入电流高。四槽内外注入电流随注入电压变化情况。23凹植尺寸变化对注入均匀性的影响图5为凹槽宽度W=30mm，凹槽深度变化时测得的凹槽底部的离子注入电流的变化情况。由此可以看出，在宽度不变情况下，增加深度将使注入电流的值降低。

　　深度变深后，凹槽底部的注入电流出现谷值的倾向减小。产生这一现象的原因，是凹槽底部的等离子体密度随深度的增加减小，相应地，鞘层的扩展速度增加，并且导致鞘层叠加的程度增加，虽然正对弧源的离子数公相同，但离子在传输过程中，由于碰撞作用导致部分改变方向而注入侧面，因此凹槽探度增加，注入电流降低。